제조사 :
Toshiba Semiconductor and Storage
기술 :
MOSFET N-CH 45V 150A
과학 기술 :
MOSFET (Metal Oxide)
드레인 - 소스 간 전압 (Vdss) :
45V
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) :
150A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) :
4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs :
1.04 mOhm @ 50A, 10V
Vgs (th) (최대) @ ID :
2.4V @ 1mA
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs :
99nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds :
9600pF @ 22.5V
전력 발산 (최대) :
960mW (Ta), 170W (Tc)
공급 업체 장치 패키지 :
8-SOP Advance (5x5)