기술 :
MOSFET 3N/3P-CH 60V 10A/6A 12SIP
FET 유형 :
3 N and 3 P-Channel (3-Phase Bridge)
FET 특징 :
Logic Level Gate
드레인 - 소스 간 전압 (Vdss) :
60V
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) :
10A, 6A
Rds On (최대) @ Id, Vgs :
140 mOhm @ 5A, 4V
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs :
-
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds :
460pF @ 10V
공급 업체 장치 패키지 :
12-SIP w/fin