Vishay Siliconix - SIA911EDJ-T1-GE3

KEY Part #: K6524232

[3900PC 주식]


    부품 번호:
    SIA911EDJ-T1-GE3
    제조사:
    Vishay Siliconix
    상세 설명:
    MOSFET 2P-CH 20V 4.5A SC70-6.
    제조업체의 표준 리드 타임:
    재고
    수명:
    일년
    칩 출처:
    홍콩
    RoHS:
    결제 방법:
    배송 방법:
    가족 카테고리:
    KEY Components Co., LTD는 다음을 포함하여 제품 카테고리를 제공하는 전자 부품 유통 업체입니다. 다이오드 - RF, 전원 드라이버 모듈, 트랜지스터 - IGBT - 단일, 트랜지스터 - 특수용, 다이오드 - 브리지 정류기, 트랜지스터 - 프로그래밍 가능 Unijunction, 트랜지스터 - IGBT - 어레이 and 다이오드 - 정류기 - 어레이 ...
    경쟁 우위:
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    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    SIA911EDJ-T1-GE3 제품 속성

    부품 번호 : SIA911EDJ-T1-GE3
    제조사 : Vishay Siliconix
    기술 : MOSFET 2P-CH 20V 4.5A SC70-6
    시리즈 : TrenchFET®
    부품 상태 : Obsolete
    FET 유형 : 2 P-Channel (Dual)
    FET 특징 : Logic Level Gate
    드레인 - 소스 간 전압 (Vdss) : 20V
    전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) : 4.5A
    Rds On (최대) @ Id, Vgs : 101 mOhm @ 2.7A, 4.5V
    Vgs (th) (최대) @ ID : 1V @ 250µA
    게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs : 11nC @ 8V
    입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds : -
    전력 - 최대 : 7.8W
    작동 온도 : -55°C ~ 150°C (TJ)
    실장 형 : Surface Mount
    패키지 / 케이스 : PowerPAK® SC-70-6 Dual
    공급 업체 장치 패키지 : PowerPAK® SC-70-6 Dual

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