기술 :
MOSFET N/P-CH 30V/20V CPH6
FET 특징 :
Logic Level Gate
드레인 - 소스 간 전압 (Vdss) :
30V, 20V
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) :
400mA, 1.5A
Rds On (최대) @ Id, Vgs :
3.7 Ohm @ 80mA, 4V
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs :
1.58nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds :
7pF @ 10V
패키지 / 케이스 :
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6