기술 :
MOSFET N/P-CH 25V SSOT-6
FET 특징 :
Logic Level Gate
드레인 - 소스 간 전압 (Vdss) :
25V
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) :
220mA, 460mA
Rds On (최대) @ Id, Vgs :
4 Ohm @ 400mA, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ ID :
1.5V @ 250µA
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs :
0.7nC @ 4.5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds :
9.5pF @ 10V
작동 온도 :
-55°C ~ 150°C (TJ)
패키지 / 케이스 :
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
공급 업체 장치 패키지 :
SuperSOT™-6