DMN63D1LDW-7 가격 (USD) [974181PC 주식]
- 1 pcs$0.03797
- 3,000 pcs$0.03480
- 부품 번호:
- DMN63D1LDW-7
- 제조사:
- Diodes Incorporated
- 상세 설명:
- MOSFET 2N-CH 60V 0.25A SOT363.
- 제조업체의 표준 리드 타임:
- 재고
- 수명:
- 일년
- 칩 출처:
- 홍콩
- RoHS:
- 결제 방법:
-
- 배송 방법:
- 가족 카테고리:
- KEY Components Co., LTD는 다음을 포함하여 제품 카테고리를 제공하는 전자 부품 유통 업체입니다. 트랜지스터 - 바이폴라 (BJT) - 단일, 프리 바이어스, 트랜지스터 - 바이폴라 (BJT) - RF, 트랜지스터 - 프로그래밍 가능 Unijunction, 트랜지스터 - IGBT - 모듈, 다이오드 - 정류기 - 단일, 트랜지스터 - 바이폴라 (BJT) - 어레이, 다이오드 - 제너 - 싱글 and 전원 드라이버 모듈 ...
- 경쟁 우위:
- We specialize in Diodes Incorporated DMN63D1LDW-7 electronic components. DMN63D1LDW-7 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for DMN63D1LDW-7, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
DMN63D1LDW-7 제품 속성
부품 번호 :
DMN63D1LDW-7
제조사 :
Diodes Incorporated
기술 :
MOSFET 2N-CH 60V 0.25A SOT363
시리즈 :
-
부품 상태 :
Active
FET 유형 :
2 N-Channel (Dual)
FET 특징 :
Standard
드레인 - 소스 간 전압 (Vdss) :
60V
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) :
250mA
Rds On (최대) @ Id, Vgs :
2 Ohm @ 500mA, 10V
Vgs (th) (최대) @ ID :
2.5V @ 1mA
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs :
0.3nC @ 4.5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds :
30pF @ 25V
전력 - 최대 :
310mW
작동 온도 :
-55°C ~ 150°C (TJ)
실장 형 :
Surface Mount
패키지 / 케이스 :
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
공급 업체 장치 패키지 :
SOT-23
최근 소식
당신은 또한 관심이있을 수 있습니다
뜨거운 부품
- AO8804L
- NTMFD4C85NT3G
- IRF7341QTRPBF
- AOD604
- SI7964DP-T1-E3
- AO4805L_101
- ECH8654-TL-HQ
- EMH2417R-TL-H
- SIZ914DT-T1-GE3
- VQ2001P-2
- VQ1006P-2
- FDMC8200S_F106
- APTMC60TL11CT3AG
- SIA914ADJ-T1-GE3
- AON6974
- SI7925DN-T1-E3
- SI5915BDC-T1-GE3
- SI4830ADY-T1-GE3
- SI4544DY-T1-GE3
- SIA950DJ-T1-GE3
- SI4511DY-T1-GE3
- BSL214NL6327HTSA1
- IRF8513TRPBF
- BSD223P L6327
- SI7842DP-T1-GE3
- NTLJD2104PTAG
- NTJD4001NT2G
- NTLJD3115PTAG
- ZXMN3A06N8TA
- ZXMN3A06DN8TC
- IRF7101PBF
- IRF5852TR
- NDS9956A
- STS9D8NH3LL
- AUIRF7103QTR
- SQJB80EP-T1_GE3
- SQJ968EP-T1_GE3
- BSC0924NDIATMA1
- SIZ300DT-T1-GE3
- BSL214NH6327XTSA1