제조사 :
Microsemi Corporation
기술 :
MOSFET 6N-CH 100V 70A SP6-P
FET 유형 :
6 N-Channel (3-Phase Bridge)
드레인 - 소스 간 전압 (Vdss) :
100V
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) :
70A
Rds On (최대) @ Id, Vgs :
21 mOhm @ 35A, 10V
Vgs (th) (최대) @ ID :
4V @ 1mA
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs :
200nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds :
5100pF @ 25V
작동 온도 :
-40°C ~ 150°C (TJ)