DMT3009LDT-7 가격 (USD) [210942PC 주식]
- 1 pcs$0.17534
- 3,000 pcs$0.15140
- 부품 번호:
- DMT3009LDT-7
- 제조사:
- Diodes Incorporated
- 상세 설명:
- MOSFET 2N-CH 30V 30A V-DFN3030-8.
- 제조업체의 표준 리드 타임:
- 재고
- 수명:
- 일년
- 칩 출처:
- 홍콩
- RoHS:
- 결제 방법:
-
- 배송 방법:
- 가족 카테고리:
- KEY Components Co., LTD는 다음을 포함하여 제품 카테고리를 제공하는 전자 부품 유통 업체입니다. 트랜지스터 - IGBT - 모듈, 다이오드 - 제너 - 싱글, 트랜지스터 - 바이폴라 (BJT) - 단일, 트랜지스터 - JFET, 트랜지스터 - IGBT - 단일, 트랜지스터 - FET, MOSFET - 어레이, 사이리스터 - DIAC, SIDAC and 트랜지스터 - FETs, MOSFETs - Single ...
- 경쟁 우위:
- We specialize in Diodes Incorporated DMT3009LDT-7 electronic components. DMT3009LDT-7 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for DMT3009LDT-7, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
DMT3009LDT-7 제품 속성
부품 번호 :
DMT3009LDT-7
제조사 :
Diodes Incorporated
기술 :
MOSFET 2N-CH 30V 30A V-DFN3030-8
시리즈 :
-
부품 상태 :
Active
FET 유형 :
2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
FET 특징 :
Standard
드레인 - 소스 간 전압 (Vdss) :
30V
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) :
30A
Rds On (최대) @ Id, Vgs :
11.1 mOhm @ 14.4A, 10V
Vgs (th) (최대) @ ID :
3V @ 250µA
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs :
20nC @ 15V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds :
1500pF @ 15V
전력 - 최대 :
1.2W
작동 온도 :
-55°C ~ 150°C (TJ)
실장 형 :
Surface Mount
패키지 / 케이스 :
8-VDFN Exposed Pad
공급 업체 장치 패키지 :
V-DFN3030-8 (Type K)
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