SI6913DQ-T1-E3 가격 (USD) [85512PC 주식]
- 1 pcs$0.45726
- 3,000 pcs$0.42841
- 부품 번호:
- SI6913DQ-T1-E3
- 제조사:
- Vishay Siliconix
- 상세 설명:
- MOSFET 2P-CH 12V 4.9A 8TSSOP.
- 제조업체의 표준 리드 타임:
- 재고
- 수명:
- 일년
- 칩 출처:
- 홍콩
- RoHS:
- 결제 방법:
-
- 배송 방법:
- 가족 카테고리:
- KEY Components Co., LTD는 다음을 포함하여 제품 카테고리를 제공하는 전자 부품 유통 업체입니다. 트랜지스터 - FET, MOSFET - RF, 트랜지스터 - 특수용, 트랜지스터 - 프로그래밍 가능 Unijunction, 트랜지스터 - IGBT - 어레이, 다이오드 - 제너 - 싱글, 다이오드 - 가변 커패시턴스 (바리케이드, 바랙터), 다이오드 - RF and 트랜지스터 - 바이폴라 (BJT) - 단일, 프리 바이어스 ...
- 경쟁 우위:
- We specialize in Vishay Siliconix SI6913DQ-T1-E3 electronic components. SI6913DQ-T1-E3 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for SI6913DQ-T1-E3, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
SI6913DQ-T1-E3 제품 속성
부품 번호 :
SI6913DQ-T1-E3
제조사 :
Vishay Siliconix
기술 :
MOSFET 2P-CH 12V 4.9A 8TSSOP
시리즈 :
TrenchFET®
부품 상태 :
Active
FET 유형 :
2 P-Channel (Dual)
FET 특징 :
Logic Level Gate
드레인 - 소스 간 전압 (Vdss) :
12V
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) :
4.9A
Rds On (최대) @ Id, Vgs :
21 mOhm @ 5.8A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ ID :
900mV @ 400µA
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs :
28nC @ 4.5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds :
-
전력 - 최대 :
830mW
작동 온도 :
-55°C ~ 150°C (TJ)
실장 형 :
Surface Mount
패키지 / 케이스 :
8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
공급 업체 장치 패키지 :
8-TSSOP
최근 소식
당신은 또한 관심이있을 수 있습니다
뜨거운 부품
- FF8MR12W2M1B11BOMA1
- VMM650-01F
- FS45MR12W1M1B11BOMA1
- DF23MR12W1M1B11BOMA1
- APTC80DSK15T3G
- EMH2308-TL-H
- NVMFD5853NWFT1G
- FDD8424H-F085A
- VQ1001P
- SI7270DP-T1-GE3
- AON6971
- AON7932
- APTJC120AM13VCT1AG
- ECH8664R-TL-H
- SI6967DQ-T1-E3
- SI4940DY-T1-E3
- SI4569DY-T1-GE3
- SI4992EY-T1-GE3
- IPG15N06S3L-45
- BSD235N L6327
- GWM220-004P3-SMD
- SI7948DP-T1-GE3
- IRF7103QTRPBF
- APTM20DUM10TG
- FDZ2553NZ
- FDW2511NZ
- FDS8934A
- IRF7757TR
- IRF7331
- IRF7379TR
- PHN210T,118
- BSG0810NDIATMA1
- SQJ204EP-T1_GE3
- BSC072N03LDGATMA1
- IPG20N04S4L08AATMA1
- SH8K15TB1
- SQJB68EP-T1_GE3
- QS8J1TR
- SSM6L16FETE85LF
- SSM6N35FE,LM