제조사 :
Diodes Incorporated
기술 :
MOSFET BVDSS 25V-30V TSOT26 TR
FET 유형 :
N and P-Channel Complementary
드레인 - 소스 간 전압 (Vdss) :
30V
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) :
4.6A (Ta), 3.3A (Ta)
Rds On (최대) @ Id, Vgs :
50 mOhm @ 3.5A, 10V, 95 mOhm @ 3.8A, 10V
Vgs (th) (최대) @ ID :
2.5V @ 250µA
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs :
4.5nC @ 10V, 6.5nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds :
190pF @ 15V, 254pF @ 15V
작동 온도 :
-55°C ~ 150°C (TJ)
패키지 / 케이스 :
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6