기술 :
MOSFET 2N-CH 100V 3.5A 8SOIC
FET 유형 :
2 N-Channel (Dual)
FET 특징 :
Logic Level Gate
드레인 - 소스 간 전압 (Vdss) :
100V
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) :
3.5A
Rds On (최대) @ Id, Vgs :
62 mOhm @ 3.5A, 10V
Vgs (th) (최대) @ ID :
4V @ 250µA
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs :
7.1nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds :
398pF @ 50V
작동 온도 :
-55°C ~ 150°C (TJ)
패키지 / 케이스 :
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)