제조사 :
Diodes Incorporated
기술 :
MOSFET BVDSS 8V-24V U-DFN2020-6
FET 유형 :
N and P-Channel Complementary
드레인 - 소스 간 전압 (Vdss) :
20V
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) :
6A (Ta), 3.5A (Ta)
Rds On (최대) @ Id, Vgs :
25 mOhm @ 4A, 4.5V, 75 mOhm @ 2.9A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ ID :
1V @ 250µA, 1.4V @ 250µA
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs :
12.3nC @ 10V, 15nC @ 8V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds :
486pF @ 10V, 642pF @ 10V
작동 온도 :
-55°C ~ 150°C (TJ)
패키지 / 케이스 :
6-UDFN Exposed Pad
공급 업체 장치 패키지 :
U-DFN2020-6 (Type B)