기술 :
MOSFET 2N-CH 30V 2A TSMT5
FET 유형 :
2 N-Channel (Dual) Common Source
FET 특징 :
Logic Level Gate
드레인 - 소스 간 전압 (Vdss) :
30V
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) :
2A
Rds On (최대) @ Id, Vgs :
100 mOhm @ 2A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ ID :
1.5V @ 1mA
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs :
3.9nC @ 4.5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds :
175pF @ 10V
패키지 / 케이스 :
SOT-23-5 Thin, TSOT-23-5