[826PC 주식]
- 부품 번호:
- BSM75GB170DN2HOSA1
- 상세 설명:
- IGBT 1700V 110A 625W MODULE.
- 제조업체의 표준 리드 타임:
- 재고
- 수명:
- 일년
- 칩 출처:
- 홍콩
- RoHS:
- 결제 방법:
-
- 배송 방법:
- 가족 카테고리:
- KEY Components Co., LTD는 다음을 포함하여 제품 카테고리를 제공하는 전자 부품 유통 업체입니다. 다이오드 - 가변 커패시턴스 (바리케이드, 바랙터), 트랜지스터 - IGBT - 단일, 트랜지스터 - 특수용, 다이오드 - 제너 - 싱글, 트랜지스터 - IGBT - 어레이, 트랜지스터 - IGBT - 모듈, 다이오드 - 브리지 정류기 and 트랜지스터 - 바이폴라 (BJT) - 단일 ...
- 경쟁 우위:
- We specialize in Infineon Technologies BSM75GB170DN2HOSA1 electronic components. BSM75GB170DN2HOSA1 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for BSM75GB170DN2HOSA1, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
BSM75GB170DN2HOSA1 제품 속성
부품 번호 :
BSM75GB170DN2HOSA1
제조사 :
Infineon Technologies
기술 :
IGBT 1700V 110A 625W MODULE
시리즈 :
-
부품 상태 :
Obsolete
IGBT 유형 :
-
구성 :
Half Bridge
전압 - 콜렉터 에미 터 파괴 (최대) :
1700V
전류 - 콜렉터 (Ic) (최대) :
110A
전력 - 최대 :
625W
VCE (on) (최대) @ Vge, Ic :
3.9V @ 15V, 75A
전류 - 콜렉터 차단 (최대) :
-
입력 커패시턴스 (Cies) @ Vce :
11nF @ 25V
입력 :
Standard
NTC 서미스터 :
No
작동 온도 :
150°C (TJ)
실장 형 :
Chassis Mount
패키지 / 케이스 :
Module
공급 업체 장치 패키지 :
Module
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