기술 :
MOSFET N/P-CH 20V/12V TUMT6
FET 특징 :
Logic Level Gate
드레인 - 소스 간 전압 (Vdss) :
20V, 12V
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) :
1.5A, 1.3A
Rds On (최대) @ Id, Vgs :
180 mOhm @ 1.5A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ ID :
1V @ 1mA
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs :
1.8nC @ 4.5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds :
110pF @ 10V
패키지 / 케이스 :
6-SMD, Flat Leads