Vishay Siliconix - VQ1001P-2

KEY Part #: K6523757

[4059PC 주식]


    부품 번호:
    VQ1001P-2
    제조사:
    Vishay Siliconix
    상세 설명:
    MOSFET 4N-CH 30V 0.83A 14DIP.
    제조업체의 표준 리드 타임:
    재고
    수명:
    일년
    칩 출처:
    홍콩
    RoHS:
    결제 방법:
    배송 방법:
    가족 카테고리:
    KEY Components Co., LTD는 다음을 포함하여 제품 카테고리를 제공하는 전자 부품 유통 업체입니다. 트랜지스터 - 바이폴라 (BJT) - 단일, 다이오드 - 정류기 - 단일, 트랜지스터 - IGBT - 어레이, 다이오드 - 정류기 - 어레이, 다이오드 - RF, 트랜지스터 - 바이폴라 (BJT) - 단일, 프리 바이어스, 트랜지스터 - FET, MOSFET - 어레이 and 트랜지스터 - 바이폴라 (BJT) - 어레이 ...
    경쟁 우위:
    We specialize in Vishay Siliconix VQ1001P-2 electronic components. VQ1001P-2 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for VQ1001P-2, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    VQ1001P-2 제품 속성

    부품 번호 : VQ1001P-2
    제조사 : Vishay Siliconix
    기술 : MOSFET 4N-CH 30V 0.83A 14DIP
    시리즈 : -
    부품 상태 : Obsolete
    FET 유형 : 4 N-Channel
    FET 특징 : Logic Level Gate
    드레인 - 소스 간 전압 (Vdss) : 30V
    전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) : 830mA
    Rds On (최대) @ Id, Vgs : 1.75 Ohm @ 200mA, 5V
    Vgs (th) (최대) @ ID : 2.5V @ 1mA
    게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs : -
    입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds : 110pF @ 15V
    전력 - 최대 : 2W
    작동 온도 : -55°C ~ 150°C (TJ)
    실장 형 : Through Hole
    패키지 / 케이스 : -
    공급 업체 장치 패키지 : 14-DIP

    당신은 또한 관심이있을 수 있습니다
    • PMGD175XN,115

      NXP USA Inc.

      MOSFET 2N-CH 30V 0.9A 6TSSOP.

    • AO4801L

      Alpha & Omega Semiconductor Inc.

      MOSFET 2P-CH 30V 5A 8SOIC.

    • UPA1764G-E2-AZ

      Renesas Electronics America

      MOSFET 2N-CH 60V 7A 8-SOIC.

    • TMC1340-SO

      Trinamic Motion Control GmbH

      MOSFET 2N/2P-CH 30V 8SOIC.

    • SI4618DY-T1-GE3

      Vishay Siliconix

      MOSFET 2N-CH 30V 8A 8SO.

    • SP8M4FU6TB

      Rohm Semiconductor

      MOSFET N/P-CH 30V 9A/7A 8SOIC.