기술 :
MOSFET 4N-CH 30V 0.83A 14DIP
FET 특징 :
Logic Level Gate
드레인 - 소스 간 전압 (Vdss) :
30V
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) :
830mA
Rds On (최대) @ Id, Vgs :
1.75 Ohm @ 200mA, 5V
Vgs (th) (최대) @ ID :
2.5V @ 1mA
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs :
-
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds :
110pF @ 15V
작동 온도 :
-55°C ~ 150°C (TJ)