Central Semiconductor Corp - CTLDM7120-M832DS TR

KEY Part #: K6523277

CTLDM7120-M832DS TR 가격 (USD) [23004PC 주식]

  • 3,000 pcs$0.13878

부품 번호:
CTLDM7120-M832DS TR
제조사:
Central Semiconductor Corp
상세 설명:
MOSFET 2N-CH 20V 1A.
제조업체의 표준 리드 타임:
재고
수명:
일년
칩 출처:
홍콩
RoHS:
결제 방법:
배송 방법:
가족 카테고리:
KEY Components Co., LTD는 다음을 포함하여 제품 카테고리를 제공하는 전자 부품 유통 업체입니다. 트랜지스터 - 바이폴라 (BJT) - 단일, 프리 바이어스, 전원 드라이버 모듈, 트랜지스터 - FETs, MOSFETs - Single, 사이리스터 - DIAC, SIDAC, 다이오드 - 가변 커패시턴스 (바리케이드, 바랙터), 트랜지스터 - 바이폴라 (BJT) - RF, 트랜지스터 - 바이폴라 (BJT) - 단일 and 트랜지스터 - FET, MOSFET - RF ...
경쟁 우위:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

CTLDM7120-M832DS TR 제품 속성

부품 번호 : CTLDM7120-M832DS TR
제조사 : Central Semiconductor Corp
기술 : MOSFET 2N-CH 20V 1A
시리즈 : -
부품 상태 : Obsolete
FET 유형 : 2 N-Channel (Dual)
FET 특징 : Logic Level Gate
드레인 - 소스 간 전압 (Vdss) : 20V
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) : 1A (Ta)
Rds On (최대) @ Id, Vgs : 100 mOhm @ 500mA, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ ID : 1.2V @ 1mA
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs : 2.4nC @ 4.5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds : 220pF @ 10V
전력 - 최대 : 1.65W
작동 온도 : -65°C ~ 150°C (TJ)
실장 형 : Surface Mount
패키지 / 케이스 : 8-TDFN Exposed Pad
공급 업체 장치 패키지 : TLM832DS
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