제조사 :
Toshiba Semiconductor and Storage
기술 :
MOSFET 2N-CH 20V 0.1A US6
FET 유형 :
2 N-Channel (Dual)
드레인 - 소스 간 전압 (Vdss) :
20V
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) :
100mA
Rds On (최대) @ Id, Vgs :
3 Ohm @ 10mA, 4V
Vgs (th) (최대) @ ID :
1.1V @ 100µA
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs :
-
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds :
9.3pF @ 3V
패키지 / 케이스 :
6-TSSOP, SC-88, SOT-363