Nexperia USA Inc. - BUK7C06-40AITE,118

KEY Part #: K6401146

[3152PC 주식]


    부품 번호:
    BUK7C06-40AITE,118
    제조사:
    Nexperia USA Inc.
    상세 설명:
    MOSFET N-CH 40V 75A D2PAK.
    제조업체의 표준 리드 타임:
    재고
    수명:
    일년
    칩 출처:
    홍콩
    RoHS:
    결제 방법:
    배송 방법:
    가족 카테고리:
    KEY Components Co., LTD는 다음을 포함하여 제품 카테고리를 제공하는 전자 부품 유통 업체입니다. 다이오드 - 제너 - 어레이, 트랜지스터 - FET, MOSFET - RF, 전원 드라이버 모듈, 트랜지스터 - IGBT - 어레이, 다이오드 - 정류기 - 어레이, 트랜지스터 - IGBT - 단일, 다이오드 - 제너 - 싱글 and 트랜지스터 - 바이폴라 (BJT) - RF ...
    경쟁 우위:
    We specialize in Nexperia USA Inc. BUK7C06-40AITE,118 electronic components. BUK7C06-40AITE,118 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for BUK7C06-40AITE,118, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    BUK7C06-40AITE,118 제품 속성

    부품 번호 : BUK7C06-40AITE,118
    제조사 : Nexperia USA Inc.
    기술 : MOSFET N-CH 40V 75A D2PAK
    시리즈 : Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™
    부품 상태 : Obsolete
    FET 유형 : N-Channel
    과학 기술 : MOSFET (Metal Oxide)
    드레인 - 소스 간 전압 (Vdss) : 40V
    전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) : 75A (Tc)
    드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) : 10V
    Rds On (최대) @ Id, Vgs : 6 mOhm @ 50A, 10V
    Vgs (th) (최대) @ ID : 4V @ 1mA
    게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs : 120nC @ 10V
    Vgs (최대) : ±20V
    입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds : 4300pF @ 25V
    FET 특징 : Current Sensing
    전력 발산 (최대) : 272W (Tc)
    작동 온도 : -55°C ~ 175°C (TJ)
    실장 형 : Surface Mount
    공급 업체 장치 패키지 : D2PAK
    패키지 / 케이스 : TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab), TO-263CB

    당신은 또한 관심이있을 수 있습니다