FET 유형 :
2 N-Channel (Half Bridge)
드레인 - 소스 간 전압 (Vdss) :
100V
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) :
10.4A
Rds On (최대) @ Id, Vgs :
9.9 mOhm @ 10.4A, 10V
Vgs (th) (최대) @ ID :
4V @ 250µA
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs :
31nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds :
2230pF @ 50V
작동 온도 :
-55°C ~ 150°C (TJ)
공급 업체 장치 패키지 :
8-Power 5x6