기술 :
MOSFET N/P-CH 30V/20V EMT6
부품 상태 :
Not For New Designs
FET 특징 :
Logic Level Gate
드레인 - 소스 간 전압 (Vdss) :
30V, 20V
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) :
100mA, 200mA
Rds On (최대) @ Id, Vgs :
8 Ohm @ 10mA, 4V
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs :
0.9nC @ 4.5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds :
13pF @ 5V
패키지 / 케이스 :
SOT-563, SOT-666