EPC - EPC2101

KEY Part #: K6524893

가족 카테고리:: KEY Components Co., LTD는 다음을 포함하여 제품 카테고리를 제공하는 전자 부품 유통 업체입니다. 사이리스터 - 트라이 액, 다이오드 - 가변 커패시턴스 (바리케이드, 바랙터), 트랜지스터 - 바이폴라 (BJT) - 단일, 프리 바이어스, 트랜지스터 - 바이폴라 (BJT) - 단일, 트랜지스터 - 바이폴라 (BJT) - RF, 트랜지스터 - IGBT - 어레이, 트랜지스터 - FET, MOSFET - RF and 사이리스터 - SCR - 모듈 ...

경쟁 우위:: We specialize in EPC EPC2101 electronic components. EPC2101 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for EPC2101, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com

부품 번호 : EPC2101

제조사 : EPC

기술 : GAN TRANS ASYMMETRICAL HALF BRID

시리즈 : eGaN®

부품 상태 : Active

FET 유형 : 2 N-Channel (Half Bridge)

FET 특징 : GaNFET (Gallium Nitride)

드레인 - 소스 간 전압 (Vdss) : 60V

전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) : 9.5A, 38A

Rds On (최대) @ Id, Vgs : 11.5 mOhm @ 20A, 5V, 2.7 mOhm @ 20A, 5V

Vgs (th) (최대) @ ID : 2.5V @ 3mA, 2.5V @ 12mA

게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs : 2.7nC @ 5V, 12nC @ 5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds : 300pF @ 30V, 1200pF @ 30V

전력 - 최대 : -

작동 온도 : -40°C ~ 150°C (TJ)

실장 형 : Surface Mount

패키지 / 케이스 : Die

공급 업체 장치 패키지 : Die

당신은 또한 관심이있을 수 있습니다