기술 :
MOSFET 2N-CH 30V 15A 8SON
FET 유형 :
2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
FET 특징 :
Logic Level Gate, 5V Drive
드레인 - 소스 간 전압 (Vdss) :
30V
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) :
15A
Rds On (최대) @ Id, Vgs :
14.3 mOhm @ 4A, 8V
Vgs (th) (최대) @ ID :
1.2V @ 250µA
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs :
4.6nC @ 4.5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds :
662pF @ 15V
공급 업체 장치 패키지 :
8-VSON (3.3x3.3)