기술 :
MOSFET 3N/3P-CH 60V 4A 12-SIP
FET 유형 :
3 N and 3 P-Channel (3-Phase Bridge)
드레인 - 소스 간 전압 (Vdss) :
60V
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) :
4A
Rds On (최대) @ Id, Vgs :
550 Ohm @ 2A, 4V
Vgs (th) (최대) @ ID :
2V @ 250µA
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs :
-
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds :
150pF @ 10V