기술 :
MOSFET 2PCH 20V 660MA SOT363
FET 유형 :
2 P-Channel (Dual)
드레인 - 소스 간 전압 (Vdss) :
20V
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) :
660mA (Ta)
Rds On (최대) @ Id, Vgs :
520 mOhm @ 1A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ ID :
1.1V @ 250µA
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs :
-
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds :
170pF @ 16V
작동 온도 :
-40°C ~ 150°C (TJ)
패키지 / 케이스 :
6-TSSOP, SC-88, SOT-363