DMN21D1UDA-7B 가격 (USD) [781102PC 주식]
- 1 pcs$0.04735
- 부품 번호:
- DMN21D1UDA-7B
- 제조사:
- Diodes Incorporated
- 상세 설명:
- MOSFET 2 N-CH 20V X2DFN0806-6.
- 제조업체의 표준 리드 타임:
- 재고
- 수명:
- 일년
- 칩 출처:
- 홍콩
- RoHS:
- 결제 방법:
-
- 배송 방법:
- 가족 카테고리:
- KEY Components Co., LTD는 다음을 포함하여 제품 카테고리를 제공하는 전자 부품 유통 업체입니다. 트랜지스터 - 바이폴라 (BJT) - 사전 바이어스 된 어레이, 다이오드 - 가변 커패시턴스 (바리케이드, 바랙터), 트랜지스터 - 바이폴라 (BJT) - RF, 트랜지스터 - IGBT - 단일, 트랜지스터 - 바이폴라 (BJT) - 단일, 프리 바이어스, 다이오드 - RF, 트랜지스터 - FETs, MOSFETs - Single and 다이오드 - 정류기 - 단일 ...
- 경쟁 우위:
- We specialize in Diodes Incorporated DMN21D1UDA-7B electronic components. DMN21D1UDA-7B can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for DMN21D1UDA-7B, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
DMN21D1UDA-7B 제품 속성
부품 번호 :
DMN21D1UDA-7B
제조사 :
Diodes Incorporated
기술 :
MOSFET 2 N-CH 20V X2DFN0806-6
시리즈 :
-
부품 상태 :
Active
FET 유형 :
2 N-Channel (Dual)
FET 특징 :
Standard
드레인 - 소스 간 전압 (Vdss) :
20V
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) :
455mA (Ta)
Rds On (최대) @ Id, Vgs :
990 mOhm @ 100mA, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ ID :
1V @ 250µA
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs :
0.41nC @ 4.5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds :
31pF @ 15V
전력 - 최대 :
310mW
작동 온도 :
-55°C ~ 150°C (TJ)
실장 형 :
Surface Mount
패키지 / 케이스 :
6-SMD, No Lead
공급 업체 장치 패키지 :
X2-DFN0806-6
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