CSD87335Q3DT 가격 (USD) [72384PC 주식]
- 1 pcs$0.54289
- 250 pcs$0.54019
- 500 pcs$0.47266
- 1,250 pcs$0.39163
- 부품 번호:
- CSD87335Q3DT
- 제조사:
- Texas Instruments
- 상세 설명:
- MOSFET 2N-CH 30V 25A.
- 제조업체의 표준 리드 타임:
- 재고
- 수명:
- 일년
- 칩 출처:
- 홍콩
- RoHS:
- 결제 방법:
-
- 배송 방법:
- 가족 카테고리:
- KEY Components Co., LTD는 다음을 포함하여 제품 카테고리를 제공하는 전자 부품 유통 업체입니다. 트랜지스터 - 바이폴라 (BJT) - 단일, 트랜지스터 - 특수용, 트랜지스터 - FET, MOSFET - RF, 사이리스터 - DIAC, SIDAC, 트랜지스터 - 바이폴라 (BJT) - 사전 바이어스 된 어레이, 사이리스터 - 트라이 액, 트랜지스터 - 바이폴라 (BJT) - 단일, 프리 바이어스 and 다이오드 - 가변 커패시턴스 (바리케이드, 바랙터) ...
- 경쟁 우위:
- We specialize in Texas Instruments CSD87335Q3DT electronic components. CSD87335Q3DT can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for CSD87335Q3DT, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
CSD87335Q3DT 제품 속성
부품 번호 :
CSD87335Q3DT
제조사 :
Texas Instruments
기술 :
MOSFET 2N-CH 30V 25A
시리즈 :
NexFET™
부품 상태 :
Active
FET 유형 :
2 N-Channel (Dual)
FET 특징 :
Standard
드레인 - 소스 간 전압 (Vdss) :
30V
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) :
25A
Rds On (최대) @ Id, Vgs :
-
Vgs (th) (최대) @ ID :
1.9V @ 250µA
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs :
7.4nC @ 4.5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds :
1050pF @ 15V
전력 - 최대 :
6W
작동 온도 :
-55°C ~ 150°C (TJ)
실장 형 :
Surface Mount
패키지 / 케이스 :
8-PowerLDFN
공급 업체 장치 패키지 :
8-LSON (3.3x3.3)
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