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ON Semiconductor - NTD4858NA-35G

KEY Part #: K6407686

[887PC 주식]

    부품 번호:
    NTD4858NA-35G
    제조사:
    ON Semiconductor
    상세 설명:
    MOSFET N-CH 25V 11.2A IPAK.
    제조업체의 표준 리드 타임:
    재고
    수명:
    일년
    칩 출처:
    홍콩
    RoHS:
    결제 방법:
    배송 방법:
    가족 카테고리:
    KEY Components Co., LTD는 다음을 포함하여 제품 카테고리를 제공하는 전자 부품 유통 업체입니다. 다이오드 - 정류기 - 어레이, 트랜지스터 - 바이폴라 (BJT) - 사전 바이어스 된 어레이, 다이오드 - 브리지 정류기, 트랜지스터 - 바이폴라 (BJT) - RF, 트랜지스터 - IGBT - 모듈, 다이오드 - RF, 다이오드 - 가변 커패시턴스 (바리케이드, 바랙터) and 트랜지스터 - 바이폴라 (BJT) - 단일 ...
    경쟁 우위:
    We specialize in ON Semiconductor NTD4858NA-35G electronic components. NTD4858NA-35G can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for NTD4858NA-35G, Please submit a Request for Quotation here or send us an email:
    GB-T-27922
    ISO-9001-2015
    ISO-13485
    ISO-14001
    ISO-28000-2007
    ISO-45001-2018

    NTD4858NA-35G 제품 속성

    부품 번호 : NTD4858NA-35G
    제조사 : ON Semiconductor
    기술 : MOSFET N-CH 25V 11.2A IPAK
    시리즈 : -
    부품 상태 : Obsolete
    FET 유형 : N-Channel
    과학 기술 : MOSFET (Metal Oxide)
    드레인 - 소스 간 전압 (Vdss) : 25V
    전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) : 11.2A (Ta), 73A (Tc)
    드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On) : -
    Rds On (최대) @ Id, Vgs : 6.2 mOhm @ 30A, 10V
    Vgs (th) (최대) @ ID : 2.5V @ 250µA
    게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs : 19.2nC @ 4.5V
    Vgs (최대) : -
    입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds : 1563pF @ 12V
    FET 특징 : -
    전력 발산 (최대) : 1.3W (Ta), 54.5W (Tc)
    작동 온도 : -55°C ~ 175°C (TJ)
    실장 형 : Through Hole
    공급 업체 장치 패키지 : I-PAK
    패키지 / 케이스 : TO-251-3 Stub Leads, IPak

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