기술 :
MOSFET 2N-CH 450V 0.4A 8SOIC
FET 유형 :
2 N-Channel (Dual)
드레인 - 소스 간 전압 (Vdss) :
450V
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) :
400mA
Rds On (최대) @ Id, Vgs :
4.5 Ohm @ 500mA, 10V
Vgs (th) (최대) @ ID :
3.7V @ 250µA
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs :
10nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds :
160pF @ 25V
패키지 / 케이스 :
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)