DMG6602SVTX-7 가격 (USD) [773543PC 주식]
- 1 pcs$0.04782
- 부품 번호:
- DMG6602SVTX-7
- 제조사:
- Diodes Incorporated
- 상세 설명:
- MOSFET BVDSS 25V-30V TSOT26 TR.
- 제조업체의 표준 리드 타임:
- 재고
- 수명:
- 일년
- 칩 출처:
- 홍콩
- RoHS:
- 결제 방법:
-
- 배송 방법:
- 가족 카테고리:
- KEY Components Co., LTD는 다음을 포함하여 제품 카테고리를 제공하는 전자 부품 유통 업체입니다. 트랜지스터 - FETs, MOSFETs - Single, 트랜지스터 - FET, MOSFET - 어레이, 사이리스터 - SCR - 모듈, 트랜지스터 - 바이폴라 (BJT) - 단일, 트랜지스터 - IGBT - 어레이, 다이오드 - RF, 다이오드 - 제너 - 어레이 and 사이리스터 - SCR ...
- 경쟁 우위:
- We specialize in Diodes Incorporated DMG6602SVTX-7 electronic components. DMG6602SVTX-7 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for DMG6602SVTX-7, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
DMG6602SVTX-7 제품 속성
부품 번호 :
DMG6602SVTX-7
제조사 :
Diodes Incorporated
기술 :
MOSFET BVDSS 25V-30V TSOT26 TR
시리즈 :
Automotive, AEC-Q101
부품 상태 :
Active
FET 유형 :
N and P-Channel Complementary
FET 특징 :
Standard
드레인 - 소스 간 전압 (Vdss) :
30V
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) :
3.4A (Ta), 2.8A (Ta)
Rds On (최대) @ Id, Vgs :
60 mOhm @ 3.1A, 10V, 95 mOhm @ 2.7A, 10V
Vgs (th) (최대) @ ID :
2.3V @ 250µA
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs :
13nC @ 10V, 9nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds :
400pF @ 15V, 420pF @ 15V
전력 - 최대 :
840mW (Ta)
작동 온도 :
-55°C ~ 150°C (TJ)
실장 형 :
Surface Mount
패키지 / 케이스 :
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
공급 업체 장치 패키지 :
TSOT-26
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