제조사 :
Diodes Incorporated
기술 :
MOSFET BVDSS 8V-24V TSOT26 TR
FET 유형 :
N and P-Channel Complementary
드레인 - 소스 간 전압 (Vdss) :
20V
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) :
4A (Ta), 3.3A (Ta)
Rds On (최대) @ Id, Vgs :
42 mOhm @ 5A, 4.5V, 70 mOhm @ 3.5A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ ID :
1.2V @ 250µA, 1V @ 250µA
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs :
10.5nC @ 10V, 6.5nC @ 4.5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds :
416pF @ 10V, 536pF @ 10V
작동 온도 :
-55°C ~ 150°C (TJ)
패키지 / 케이스 :
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6