APTM60H23FT1G 가격 (USD) [2511PC 주식]
- 1 pcs$17.24630
- 100 pcs$17.02655
- 부품 번호:
- APTM60H23FT1G
- 상세 설명:
- MOSFET 4N-CH 600V 20A SP1.
- 제조업체의 표준 리드 타임:
- 재고
- 수명:
- 일년
- 칩 출처:
- 홍콩
- RoHS:
- 결제 방법:
-
- 배송 방법:
- 가족 카테고리:
- KEY Components Co., LTD는 다음을 포함하여 제품 카테고리를 제공하는 전자 부품 유통 업체입니다. 사이리스터 - 트라이 액, 트랜지스터 - FETs, MOSFETs - Single, 트랜지스터 - 프로그래밍 가능 Unijunction, 트랜지스터 - IGBT - 단일, 트랜지스터 - IGBT - 모듈, 다이오드 - 브리지 정류기, 트랜지스터 - 바이폴라 (BJT) - 단일 and 트랜지스터 - 바이폴라 (BJT) - RF ...
- 경쟁 우위:
- We specialize in Microsemi Corporation APTM60H23FT1G electronic components. APTM60H23FT1G can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for APTM60H23FT1G, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
APTM60H23FT1G 제품 속성
부품 번호 :
APTM60H23FT1G
제조사 :
Microsemi Corporation
기술 :
MOSFET 4N-CH 600V 20A SP1
시리즈 :
-
부품 상태 :
Active
FET 유형 :
4 N-Channel (H-Bridge)
FET 특징 :
Standard
드레인 - 소스 간 전압 (Vdss) :
600V
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) :
20A
Rds On (최대) @ Id, Vgs :
276 mOhm @ 17A, 10V
Vgs (th) (최대) @ ID :
5V @ 1mA
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs :
165nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds :
5316pF @ 25V
전력 - 최대 :
208W
작동 온도 :
-40°C ~ 150°C (TJ)
실장 형 :
Chassis Mount
패키지 / 케이스 :
SP1
공급 업체 장치 패키지 :
SP1
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