기술 :
MOSFET 2N-CH 60V 20.7A 56LFPAK
FET 유형 :
2 N-Channel (Dual)
드레인 - 소스 간 전압 (Vdss) :
60V
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) :
20.7A
Rds On (최대) @ Id, Vgs :
30 mOhm @ 5A, 10V
Vgs (th) (최대) @ ID :
4V @ 1mA
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs :
12.5nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds :
794pF @ 25V
작동 온도 :
-55°C ~ 175°C (TJ)
패키지 / 케이스 :
SOT-1205, 8-LFPAK56