제조사 :
Diodes Incorporated
기술 :
MOSFET 2 N-CH 21A POWERDI3333-8
FET 유형 :
2 N-Channel (Dual)
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) :
21A (Tc)
Rds On (최대) @ Id, Vgs :
12 mOhm @ 7A, 10V
Vgs (th) (최대) @ ID :
2V @ 250µA
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs :
9.5nC @ 4.5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds :
1184pF @ 15V
작동 온도 :
-55°C ~ 150°C (TJ)
공급 업체 장치 패키지 :
PowerDI3333-8