BSM300D12P2E001 가격 (USD) [139PC 주식]
- 1 pcs$332.21910
- 10 pcs$319.91290
- 부품 번호:
- BSM300D12P2E001
- 제조사:
- Rohm Semiconductor
- 상세 설명:
- MOSFET 2N-CH 1200V 300A.
- 제조업체의 표준 리드 타임:
- 재고
- 수명:
- 일년
- 칩 출처:
- 홍콩
- RoHS:
- 결제 방법:
-
- 배송 방법:
- 가족 카테고리:
- KEY Components Co., LTD는 다음을 포함하여 제품 카테고리를 제공하는 전자 부품 유통 업체입니다. 트랜지스터 - IGBT - 어레이, 전원 드라이버 모듈, 다이오드 - 제너 - 어레이, 트랜지스터 - JFET, 다이오드 - 브리지 정류기, 트랜지스터 - 특수용, 사이리스터 - 트라이 액 and 트랜지스터 - FETs, MOSFETs - Single ...
- 경쟁 우위:
- We specialize in Rohm Semiconductor BSM300D12P2E001 electronic components. BSM300D12P2E001 can be shipped within 24 hours after order. If you have any demands for BSM300D12P2E001, Please submit a Request for Quotation here or send us an email: rfq@key-components.com
BSM300D12P2E001 제품 속성
부품 번호 :
BSM300D12P2E001
제조사 :
Rohm Semiconductor
기술 :
MOSFET 2N-CH 1200V 300A
시리즈 :
-
부품 상태 :
Active
FET 유형 :
2 N-Channel (Half Bridge)
FET 특징 :
Silicon Carbide (SiC)
드레인 - 소스 간 전압 (Vdss) :
1200V (1.2kV)
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) :
300A (Tc)
Rds On (최대) @ Id, Vgs :
-
Vgs (th) (최대) @ ID :
4V @ 68mA
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs :
-
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds :
35000pF @ 10V
전력 - 최대 :
1875W
작동 온도 :
-40°C ~ 150°C (TJ)
실장 형 :
Chassis Mount
패키지 / 케이스 :
Module
공급 업체 장치 패키지 :
Module
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