기술 :
MOSFET 2N-CH 12V 6A CSP4
FET 유형 :
2 N-Channel (Dual) Common Drain
FET 특징 :
Logic Level Gate, 2.5V Drive
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) :
-
Rds On (최대) @ Id, Vgs :
-
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs :
13.4nC @ 4.5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds :
-
패키지 / 케이스 :
4-XFBGA, FCBGA
공급 업체 장치 패키지 :
4-EFCP (1.01x1.01)