제조사 :
Diodes Incorporated
기술 :
MOSFET N/P-CHA 30V 1.1A DFN1310
시리즈 :
Automotive, AEC-Q101
FET 유형 :
N and P-Channel Complementary
드레인 - 소스 간 전압 (Vdss) :
30V
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) :
1.1A, 700mA
Rds On (최대) @ Id, Vgs :
460 mOhm @ 200mA, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ ID :
950mV @ 250µA
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs :
0.9nC @ 4.5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds :
65.9pF @ 25V
작동 온도 :
-55°C ~ 150°C (TJ)
패키지 / 케이스 :
6-XFDFN Exposed Pad
공급 업체 장치 패키지 :
X2-DFN1310-6 (Type B)