FET 유형 :
2 N-Channel (Dual)
FET 특징 :
Silicon Carbide (SiC)
드레인 - 소스 간 전압 (Vdss) :
1200V (1.2kV)
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) :
180A (Tc)
Rds On (최대) @ Id, Vgs :
-
Vgs (th) (최대) @ ID :
5.6V @ 50mA
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs :
-
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds :
900pF @ 10V