기술 :
MOSFET 2N-CH 20V 11.6A 8TSSOP
FET 유형 :
2 N-Channel (Dual)
FET 특징 :
Logic Level Gate
드레인 - 소스 간 전압 (Vdss) :
20V
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) :
11.6A
Rds On (최대) @ Id, Vgs :
18.5 mOhm @ 5A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ ID :
700mV @ 1mA
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs :
22.2nC @ 4.5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds :
1450pF @ 16V
작동 온도 :
-55°C ~ 150°C (TJ)
패키지 / 케이스 :
8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)