Diodes Incorporated - ZXMC3F31DN8TA

KEY Part #: K6522814

ZXMC3F31DN8TA 가격 (USD) [216484PC 주식]

  • 1 pcs$0.17086
  • 500 pcs$0.15662

부품 번호:
ZXMC3F31DN8TA
제조사:
Diodes Incorporated
상세 설명:
MOSFET N/P-CH 30V 6.8A/4.9A 8SO.
제조업체의 표준 리드 타임:
재고
수명:
일년
칩 출처:
홍콩
RoHS:
결제 방법:
배송 방법:
가족 카테고리:
KEY Components Co., LTD는 다음을 포함하여 제품 카테고리를 제공하는 전자 부품 유통 업체입니다. 다이오드 - RF, 전원 드라이버 모듈, 트랜지스터 - IGBT - 단일, 트랜지스터 - FET, MOSFET - RF, 다이오드 - 제너 - 싱글, 트랜지스터 - 바이폴라 (BJT) - 사전 바이어스 된 어레이, 다이오드 - 제너 - 어레이 and 사이리스터 - DIAC, SIDAC ...
경쟁 우위:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

ZXMC3F31DN8TA 제품 속성

부품 번호 : ZXMC3F31DN8TA
제조사 : Diodes Incorporated
기술 : MOSFET N/P-CH 30V 6.8A/4.9A 8SO
시리즈 : -
부품 상태 : Active
FET 유형 : N and P-Channel
FET 특징 : Logic Level Gate, 4.5V Drive
드레인 - 소스 간 전압 (Vdss) : 30V
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) : 6.8A, 4.9A
Rds On (최대) @ Id, Vgs : 24 mOhm @ 7A, 10V
Vgs (th) (최대) @ ID : 3V @ 250µA
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs : 12.9nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds : 608pF @ 15V
전력 - 최대 : 1.8W
작동 온도 : -55°C ~ 150°C (TJ)
실장 형 : Surface Mount
패키지 / 케이스 : 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
공급 업체 장치 패키지 : 8-SO

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