제조사 :
Monolithic Power Systems Inc.
기술 :
MOSFET 3N-CH 600V 0.08A 8DIP
FET 유형 :
3 N-Channel, Common Gate
드레인 - 소스 간 전압 (Vdss) :
600V
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) :
80mA
Rds On (최대) @ Id, Vgs :
190 Ohm @ 10mA, 10V
Vgs (th) (최대) @ ID :
1.2V @ 250µA
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs :
-
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds :
-
작동 온도 :
-20°C ~ 125°C (TJ)
패키지 / 케이스 :
8-DIP (0.300", 7.62mm)