제조사 :
Diodes Incorporated
기술 :
MOSFET 2N/2P-CH 100V 8-SOIC
FET 유형 :
2 N and 2 P-Channel (H-Bridge)
드레인 - 소스 간 전압 (Vdss) :
100V
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) :
800mA, 680mA
Rds On (최대) @ Id, Vgs :
700 mOhm @ 1.5A, 10V
Vgs (th) (최대) @ ID :
4V @ 250µA
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs :
2.9nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds :
138pF @ 60V
작동 온도 :
-55°C ~ 150°C (TJ)
패키지 / 케이스 :
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)