기술 :
MOSFET N/P-CH 250V 3A/2.5A SOP8
드레인 - 소스 간 전압 (Vdss) :
250V
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) :
3A, 2.5A
Rds On (최대) @ Id, Vgs :
1.63 Ohm @ 1.5A, 10V
Vgs (th) (최대) @ ID :
4V @ 1mA
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs :
5.2nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds :
180pF @ 25V
패키지 / 케이스 :
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)