제조사 :
Renesas Electronics America
기술 :
MOSFET N/P-CH 20V 4A/3A 6SON
FET 유형 :
N and P-Channel Complementary
FET 특징 :
Logic Level Gate, 2.5V Drive
드레인 - 소스 간 전압 (Vdss) :
20V
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) :
4A, 3A
Rds On (최대) @ Id, Vgs :
42 mOhm @ 2A, 4.5V
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs :
4.5nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds :
330pF @ 10V
공급 업체 장치 패키지 :
6-HUSON (2x2)