Renesas Electronics America - UPA2690T1R-E2-AX

KEY Part #: K6522114

UPA2690T1R-E2-AX 가격 (USD) [445338PC 주식]

  • 1 pcs$0.09510
  • 3,000 pcs$0.09462

부품 번호:
UPA2690T1R-E2-AX
제조사:
Renesas Electronics America
상세 설명:
MOSFET N/P-CH 20V 4A/3A 6SON.
제조업체의 표준 리드 타임:
재고
수명:
일년
칩 출처:
홍콩
RoHS:
결제 방법:
배송 방법:
가족 카테고리:
KEY Components Co., LTD는 다음을 포함하여 제품 카테고리를 제공하는 전자 부품 유통 업체입니다. 트랜지스터 - IGBT - 모듈, 다이오드 - 브리지 정류기, 트랜지스터 - 바이폴라 (BJT) - 단일, 프리 바이어스, 트랜지스터 - FETs, MOSFETs - Single, 다이오드 - 가변 커패시턴스 (바리케이드, 바랙터), 다이오드 - 정류기 - 단일, 사이리스터 - DIAC, SIDAC and 전원 드라이버 모듈 ...
경쟁 우위:
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GB-T-27922
ISO-9001-2015
ISO-13485
ISO-14001
ISO-28000-2007
ISO-45001-2018

UPA2690T1R-E2-AX 제품 속성

부품 번호 : UPA2690T1R-E2-AX
제조사 : Renesas Electronics America
기술 : MOSFET N/P-CH 20V 4A/3A 6SON
시리즈 : -
부품 상태 : Active
FET 유형 : N and P-Channel Complementary
FET 특징 : Logic Level Gate, 2.5V Drive
드레인 - 소스 간 전압 (Vdss) : 20V
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) : 4A, 3A
Rds On (최대) @ Id, Vgs : 42 mOhm @ 2A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ ID : -
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs : 4.5nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds : 330pF @ 10V
전력 - 최대 : 2.3W
작동 온도 : 150°C (TJ)
실장 형 : Surface Mount
패키지 / 케이스 : 6-PowerWDFN
공급 업체 장치 패키지 : 6-HUSON (2x2)