기술 :
MOSFET 2 N-CH 60V 210MA 6TSSOP
FET 유형 :
2 N-Channel (Dual)
드레인 - 소스 간 전압 (Vdss) :
60V
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) :
210mA (Ta)
Rds On (최대) @ Id, Vgs :
3.5 Ohm @ 200mA, 10V
Vgs (th) (최대) @ ID :
1.5V @ 250µA
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs :
0.7nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds :
20pF @ 30V
작동 온도 :
-55°C ~ 150°C (TJ)
패키지 / 케이스 :
6-TSSOP, SC-88, SOT-363