기술 :
30V NCHNCH MIDDLE POWER MOSFET
FET 유형 :
2 N-Channel (Half Bridge)
드레인 - 소스 간 전압 (Vdss) :
30V
전류 - 25 ° C에서 연속 드레인 (Id) :
27A, 80A
Rds On (최대) @ Id, Vgs :
2.4 mOhm @ 32A, 10V
Vgs (th) (최대) @ ID :
2.5V @ 1mA
게이트 차지 (Qg) (최대) @ Vgs :
47nC @ 4.5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds :
6100pF @ 15V
작동 온도 :
-55°C ~ 150°C (TJ)